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A memória usada para guardar dados está crescendo para cima. Em vez de espalhar células apenas pela superfície do chip, fabricantes empilham centenas de camadas, como andares de um prédio. A Samsung mostrou no FMS 2026 sua próxima etapa: uma V-NAND com mais de 400 camadas e uma construção que separa células e circuitos antes de uni-los.
O que a Samsung apresentou?
A V10 BV-NAND é a próxima geração de memória flash tridimensional da empresa. Ela supera a marca de 400 camadas e foi criada para oferecer maior capacidade, velocidade e eficiência energética em sistemas de armazenamento voltados a inteligência artificial.
O anúncio ocorreu durante a Future of Memory and Storage 2026, na Califórnia. A Samsung apresentou a tecnologia como parte de um plano mais amplo para aproximar memória, armazenamento e aceleradores de IA.
Como funciona uma memória com 400 camadas?
A NAND flash armazena informações sem precisar de energia constante. Na arquitetura V-NAND, as células são empilhadas verticalmente, o que permite colocar mais dados em uma área semelhante do chip.
Mais camadas não significam apenas um chip fisicamente mais alto. O processo exige canais extremamente precisos para conectar as células, controlar interferência e manter velocidade e confiabilidade em toda a pilha.
O que muda com a ligação entre wafers?
Na BV-NAND, as células de memória e os circuitos periféricos são produzidos em wafers separados. Depois, as duas partes são alinhadas e unidas. Essa abordagem evita que os circuitos ocupem espaço ao lado da área de armazenamento.
Segundo a Samsung, a nova construção aumenta a densidade em cerca de 58% na comparação com a V9. A empresa também promete melhorias de leitura, gravação e comunicação com o restante do sistema.
Por que a inteligência artificial precisa disso?
Modelos de IA movimentam enormes conjuntos de dados, parâmetros, registros e conteúdos enviados por usuários. Quando o armazenamento não consegue alimentar os processadores rapidamente, chips caros ficam ociosos esperando informações.
Memória flash mais densa e rápida ajuda a manter bancos de dados, arquivos de treinamento e sistemas de inferência próximos dos aceleradores. Ela não substitui memórias como HBM, mas ocupa uma parte diferente da cadeia de dados.
A tecnologia vai chegar aos celulares?
É possível que avanços de V-NAND influenciem futuros SSDs e dispositivos de consumo, mas a apresentação atual está direcionada principalmente à infraestrutura de IA e ao mercado corporativo.
A Samsung não anunciou um celular, notebook ou SSD específico com a V10 BV-NAND. Produção em escala, preço e disponibilidade dependerão da evolução industrial e dos clientes que adotarem a tecnologia.
Quais outras ideias foram mostradas?
A empresa também apresentou conceitos como zHBM e zNAND-O, que aproximam ainda mais memória e unidades de processamento. O objetivo é reduzir a distância percorrida pelos dados, ampliar a largura de banda e diminuir consumo e calor.
Essas arquiteturas indicam uma mudança importante: o desempenho da IA não depende apenas do processador. Memória, armazenamento, empacotamento e refrigeração precisam evoluir juntos.
Perguntas e respostas
Respostas diretas para as dúvidas mais pesquisadas sobre este tema.
A V10 BV-NAND é memória RAM?
Não. Ela é memória flash NAND, usada para armazenamento persistente. RAM e HBM atendem a outras funções e mantêm dados de forma temporária durante o processamento.
Mais de 400 camadas significa 400 chips empilhados?
Não. São camadas de células construídas dentro da estrutura tridimensional da memória, e não centenas de chips completos colocados um sobre o outro.
A nova memória triplica a eficiência energética?
A promessa de eficiência até três vezes maior foi associada pela Samsung ao conceito zHBM. Para a V10 BV-NAND, a empresa afirmou ganhos de densidade, desempenho e eficiência, sem aplicar o mesmo número a tudo.
Quando haverá produtos com essa tecnologia?
A Samsung ainda não divulgou calendário comercial detalhado, modelos de SSD nem disponibilidade para consumidores.
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